長江存儲發佈128層QLC 3D NAND 單顆容量高達1.33Tb

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  4月13日,長江存儲科技有限責任公司宣佈其128層QLC 3D NAND 閃存(X2-6070)研發成功,並在多傢控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量,同時長江存儲還發佈瞭128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(X2-9060)。


  據悉,每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧,共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元 ,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據,共提供1.33Tb的存儲容量。在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的數據傳輸速率。

  長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊(Grace)表示:“作為閃存行業的新人,長江存儲用短短3年時間實現瞭從32層到64層再到128層的跨越。這既是數千長存人汗水的凝聚,也是全球產業鏈上下遊通力協作的成果。隨著Xtacking

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本文來源:科技 責任編輯:佚名